东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
东芝（TOSHIBA）原名东京芝浦电气株式会社，1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成；从1875年开创至今，已经走过了140年的漫长历程。
在民用方面：东芝从一家以家用电器、重型电机为主体的企业转变为包括通讯、电子在内的综合电子电器企业。进入20世纪90年代，东芝在数字技术、移动通信技术和网络技术等领域取得了飞速发展，东芝已成功地从家电行业的巨人转变为IT行业的先锋。在军用方面：东芝从二战至今依然是负责为日本生产各类坦克、机枪、导弹大炮。
2000年，东芝半导体的销售额继INTEL之后，位居世界第二位。笔记本电脑的市场占有率连续7年保持世界第一。至2000年底，IT产值在东芝总产值中所占的比例已经达到了74%。
东芝是由两家日本公司于1939年合并成的。
新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。
Ø 应用：
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）
Ø 特性：
- 单位面积导通电阻低（RDS(ON)A）
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
Ø 主要规格：（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 |
漏极-源极电压 VDSS（V） | 栅极-源极 电压VGSS（V） | 漏极电流 (DC)ID(A) | 漏极-源极 导通电阻RDS(ON) 典型值（mΩ） | 栅极阈值电压 Vth（V） | 总栅极电荷 Qg 典型值（nC） | 栅极-漏极 电荷Qgd 典型值（nC） | 输入 电容Ciss 典型值（pF） | 二极管正向电压 VDSF典型值 （V） |
@Tc＝25℃ | @VGS＝18V | @VDS＝10V | @VDS＝400V、 F＝100kHz | @VGS＝-5V |
TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | -1.35 |
TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 |
TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 |
TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 |
TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 |
TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 |
TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 |
TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 |
TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 |
TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 |
拆分事件
2022年2月7日，日本东芝公司宣布，将分拆为两家公司，并出售非核心资产，放弃了最初的分拆为三家公司的计划，该计划曾遭到维权股东的强烈批评。
东芝在一份声明中表示，计划分拆包括半导体在内的设备业务，并将其上市。放弃了早些时候剥离基础设施业务的计划，该业务将继续归东芝所有。该公司表示，分拆为两家公司将比最初的计划成本更低、更容易进行。
2022年3月9日，据 TechPowerUp 消息，东芝美国今天宣布发布两款新产品：N300 Pro 和 X300 Pro 机械硬盘，分别为企业主和创意专业人士设计，拥有高达 18 TB 的容量，工作负载高达 300 TB / 年，并提供 5 年有限保修。
广州市丙通电子元件有限公司
| 声明：本网站发布的内容(图片、视频和文字)以原创、转载和分享网络内容为主，如果涉及侵权请尽快告知，我们将会在第一时间删除。文章观点不代表本网站立场，如需处理请联系客服。电话：400-0980-380；邮箱：sales@btone-mro.com。本站原创内容未经允许不得转载，或转载时需注明出处：丙通MRO 东芝推出第三代SiC MOSFET新品工业设备 |
本文地址：http://www.btone-mro.com/BtoneInform/newsContent.aspx?id=23384